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常用大功率LED芯片制作工序

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① 增加发光的大小。单一的LED发光区域和有效地增加流动的电流量,通过均匀分布层TCL,以达到预期的磁通。但是,简单地增大发光面积不解决这个问题,散热问题,不能达到预期的效果和实际应用中的磁通量。

② 硅底板倒装法。共晶焊料首先,准备一个大的LED面板灯芯片,并准备一个合适的尺寸,在硅衬底和硅衬底,使用金的共晶钎料层和导电层导体(超声波金丝球窝接头),以及使用所述移动设备的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的硅衬底。这样的结构更加合理,不仅要考虑这个问题,考虑到光与热的问题,这是主流的大功率LED生产。Lumileds公司,美国在2001年开发出了不同的倒装芯片的电源的AlGaInN(FCLED)结构,制造过程:第一P型氮化镓外延膜沉积在顶部的层厚度超过500A,并返回的反射Niau的欧姆接触,然后选择性地蚀刻,使用掩模,在P型层和多量子阱有源层,露出N型层淀积,蚀刻后形成的N型欧姆接触层1的1mm×1mm的一侧的P型欧姆接触,N型欧姆接触以梳状插入其中,芯片尺寸,从而使当前的扩展距离可以缩短,以尽量减少支持和铟镓铝氮化物扩散阻力的ESD保护二极管(ESD)的硅芯片安装颠倒焊锡凸块。

③ 陶瓷板倒装法。通用装置的晶体结构的LED面板灯芯片的LED芯片的下一个大的,在陶瓷板和陶瓷基板的共晶钎料层和导电层,在该区域产生的相应的引线,焊接电极中使用水晶LED芯片和大规格陶瓷薄板焊接的焊接设备。这样的结构是需要考虑的问题,也是需要考虑的问题,光,热,使用高导热陶瓷板,陶瓷板,散热效果非常好,价格也比较低,更适合为当前的基本包装材料和空间保留给将来的集成电路一体化。

④ 蓝宝石衬底过渡方法。在蓝宝石衬底除去后的PN结的制造商,在蓝宝石衬底上生长InGaN芯片,然后再连接的传统的四元材料,制造大型结构的蓝色LED芯片的下部电极上,通过常规的方法。

⑤AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法。美国Cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商,多年来生产的AlGaInN/SICA芯片的架构不断完善和增加亮度。由于在P型和N型电极分别位于该芯片的顶部和底部,使用一个单一的引线键合,较好的相容性,易用性,因而成为主流产品的发展AlGaInNLED另一个。

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